憑藉氮化鎵在光電。電子領域恐怖的效能，還有強大許多倍的導熱性。
如果氮化鎵技術能夠突破，那麼這些偵察機必須裝載的合成孔徑雷達，電子偵察儀器，高精度紅外儀器，光電儀器，高光譜成像儀，高解析度可見光/紅外相機。
除了要使用鏡組的高解析度可見光/紅外相機，最佳化效果相對一般。
其他儀器在效能不變的情況，全部尺寸都能降低到原本三分之一至十分之一，重量普遍也能減重到原先的二分之一至三分之一。
減掉了這麼多的重量和尺寸空間。
無偵-8的續航，他分分鐘就能最佳化到地面起飛7000公里以上。
不單單滿足專案要求的6000公里續航需求，還能再送1000公里。
「但這東西，在這個時期不好搞啊……」
林東眉頭皺了一下，右手想要下筆又停住了。
氮化鎵製作光電儀器，電子儀器等技術很簡單。
把現有的技術改進最佳化一下就行，效能能提升這麼猛，靠的不是技術，而是氮化鎵自身變態的效能。
但問題，製作氮化鎵本身不簡單。
這玩意跟第三代單晶鎳基合金一樣，都是一種單晶材料，根本不適合尋常的生產製取辦法。
別看後世氮化鎵都要氾濫，家家戶戶都能買一個氮化鎵手機充電器，小小個頭就能實現百瓦充電。
但在2012年，如何製取高純度氮化鎵，還是一個材料領域的大難題。
林東仔細回想前世關於氮化鎵相關的報導。
因為氮化鎵在電子半導體領域的運用，曾經被很多手機廠商作為一大賣點宣傳。
得益於這一些，他對氮化鎵的製取工藝也算有了一定印象。
只不過第三代單晶鎳基合金，在他的驗算中主要靠直拉生長法工藝，氮化鎵則要靠氣相沉積法工藝。
「常規的跟碳化矽一樣，使用氣相沉積法工藝。」
「如果要製取大尺寸單晶薄片，這就需要前世報導的分子外延技術……但雷達器件這些，氣相沉積法工藝就可以了。」
「嗯，氣相沉積法工藝……我熟啊。」
林東想到這裡，眼裡露出一絲驚喜。
他在幫忙推進第三代單晶鎳基合金的時候，對各種材料學相關的知識內容，還有單晶材料製取工藝就有了深入學習瞭解。
雖然對於後世才有的分子外延技術不瞭解。
但對常規的氣相沉積，直拉生長，高溫高壓這三種工藝是有相當的掌握。
不然也無法分析驗算出第三代單晶鎳基合金，要使用直拉法跟梯度溫度控制的路線。
而且那時候他正好準備設計全新熱辣號，還考慮使用氣相沉積工藝的碳化矽作為熱辣號的隱形塗層，對於氣相沉積法的工藝也深入研究過。
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