歐洲學術脈絡己經開放，他可以整理普朗特學派留下的邊界層加熱和相似理論，再從當時公開基礎向前推一步。
這個切口還必須能做實驗。
備忘錄上很快多出三項內容，溫度勢變換，分層介面熱阻，熱應力重新分配。
其中最適合寫進回信的，是用溫度勢把非線性導熱改寫成便於求解的形式，再透過梯度介面削弱區域性熱應力。
半導體攻關佔著502的工作日，五院還要完成地面測量鏈和制導預測器論證，回信只能在兩邊任務之間校核。
當日下午，制導介面會剛結束，吳漢章便拿著臨時通行證等在院門口。
“物理所開半導體攻關通氣會，原名單隻有我，我把你補進502技術組了。”
腳踏車交給警衛檢查後，吳漢章拍了拍後座。
“上車，高頻段預研書己經掛號，專案編號這兩天就能下來。”
兩人趕到中科院物理研究所時，桌上己擺著鍺錠樣品，光譜記錄和試製整流器。
黃昆主持會議，先把國內進度寫上黑板，再讓材料組報告單晶製備情況。
現有工藝可以拉制三個九純度的鍺單晶，部分樣品能夠整流和檢波，批次差異卻壓不住。
三批電阻率曲線疊到一起，同一根鍺棒前後兩端的載流子濃度相差數倍，溫度變化後偏差更大。
“五個九隻是器件試驗的階段門檻，實驗室先衝六個九，關鍵雜質的種類和分佈還要另算。”
黃昆寫下兩個純度目標，隨即翻到裝置清單。
區域提純依靠雜質在固相和液相中的分凝差異，讓狹窄熔區沿鍺棒移動，把雜質趕向末端。
路線己經明確，實驗卻卡在區熔裝置。
現有高頻爐熱區過寬，移動速度和溫度波動難以控制，物理所改過兩套裝置，都沒能連續執行。
第一套線圈升溫過快，鍺棒中段長出多晶，第二套傳動機構則把振動送進熔區。
熔區寬度一變，分凝條件也會偏移，多次熔鍊後的純度反而低於單次結果。
黃昆展開進口裝置目錄，區熔爐和精密溫控部件都在禁運清單上。
“進口先放下，材料組管鍺料和坩堝，儀器組管測量，爐子必須靠國內單位拼出來。”
溫區記錄被推到桌面，曲線每隔一段便出現起伏，最大溫差超過一攝氏度。
“核心溫區要控制在正負零點一度，鍺棒移動時還不能擺軸，這兩項必須同時做到。”
幾家研究所隨後報出熱電偶，調壓器，減速機構和石英管，黑板很快寫滿可呼叫部件。
單件都能找到，裝成連續執行的區熔爐後，溫度反饋，線圈熱慣性和機械振動卻會互相牽制。
姜明翻開會議資料，雷振邦筆記中的批註正與裝置缺口重合。
七年前，雷振邦停在高頻爐溫區過短，控溫過粗。
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