第486章 要不要一起看簡單場景的電影？
實驗室，許青舟沒參與卡森等人的閒聊，注意力集中在引數面板上。
CVD生長，在H/Ar（流量比1:10）氣氛中升溫至1050°C，通入CH（10 scc生長，接下來就是長達4個小時的等待。
搞定完第一步，許青舟留守實驗室，卡森三個人去吃飯，沒多久，實驗室中僅僅剩下裝置執行時的低沉聲音。
他仔細檢查完裝置執行情況，轉身去隔壁的辦公室，開啟電腦，看CVD生長的情況。
見資料什麼都沒問題，他從包裡掏出NbSn薄膜製備的資料。
實驗過程中會遇到兩個大問題，介面應力與成分控制難題，這在一定程度上決定了薄膜能達到的效能。
對於前者，許青舟以前用過的一種方式，低溫ALD和梯度退火，想辦法減少熱膨脹係數。
雖然當時是用在矽基量子點的設計上，但萬變不離其宗，試試再說。
成分控制難題相對麻煩。
需要進行大量調整，例如進行前驅體最佳化，替換樣品，或者等離子體引數最佳化等等，目前也只能先做準備，一切都只有等第一輪實驗資料出來了再調整。
下午3點，許青舟和卡森再度進入實驗室。
冷卻至300°C後旋塗PA保護層。
最後，轉移到電化學剝離銅箔，撈取石墨烯至SiO/Si襯底，丙酮去除PA。
這個步驟大約2小時。
留卡森檢查裝置，許青舟回辦公室，打算再查查其他課題組的進度。
做前沿實驗的課題組會像「偵探」一樣關注對手動態，這在一定程度上可以加速科學突破，有競爭才會有壓力嘛。
當然，也可能會道心崩潰。
就比如曾經在普林斯頓，許青舟某天正在實驗室跑資料呢，突然聽到樓道里一陣大喊大叫。
走出一看，一位老哥哭得那叫一個悽慘。
後來才知道，這位老哥準備做兩個創新點，幹了幾個月，第一個創新點被其他課題組nature見刊。
老哥立刻換了第二個創新點，可幹一個月左右才發現，又被science見刊了。
於是，兩次衝擊下，繃不住了。
當然，搞科研嘛，其實就算小撞，稍微修一下也能發表。
不過許青舟他們這個倒不存在這個問題。
普林斯頓大學研究的是二維超導薄膜，具體來說是拓撲超導與馬約拉納零能模，目標是把介面缺陷密度降低90%，以便推動容錯量子計算發展。
日國著眼於氮化鈮（NbN）薄膜，希望能增強抗磁場干擾能力，把相干時間延長至400微秒以上。
夏國目前在研究高溫超導薄膜，希望能設計出無需極低溫裝置的量子晶片。
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