具體的實現路徑需要再行商榷。
第二種，參考薛丁格方程和波動力學模型，在NbSn薄膜表面外延生長拓撲絕緣體，比如BiSe，利用其受拓撲保護的表面態抑制磁通線運動。
然後是最後一個辦法。
許青舟曾經參與過探月工程，覺得能參考極端環境穩定性設計理念，在電子裝置預植入He離子輻照誘導奈米空腔，透過空腔捕獲輻照缺陷並動態修復晶格，也就是採用離子注入技術生成可控空腔陣列，利用分子動力學模擬驗證空腔對缺陷的捕獲效率。
「得，現在該選一個了。」
三個實驗其實都有技術難度，時間有限，只能先進行其中一個，突破現在瓶頸，再考慮接踵而來的小問題。
許青舟輕輕轉著手中的簽字筆，腦子在飛速運轉，對比三種方案的優劣，可行性。
半晌過去。
許青舟的目光落到第二種方案上。
【拓撲超導介面工程。】
難度相對較低，只需要在現有裝置上新增角分辨光電子能譜（ARPES），以此來驗證拓撲態和超導態耦合，再結合蒙特卡洛模擬最佳化介面電子傳輸路徑。
他先前進行相應的計算，發現在做拓撲設計時，BiSe會和NbSn的晶格產生失配現象，從而導致介面缺陷，而這恰恰能和卡森他們研究的過渡層相結合，透過過渡層，將失配度降低2%。
一旦搞定，至少能把目前的效能提高50%以上，能達到商業級水平。
假如把三個方案都搞定
一騎絕塵，遙遙領先。
這就是掛逼的強大之處，同行都還在第40層，他已經到99層去了。
可惜，這將是個浩大工程，除非他再在這邊多待幾年，組建一個更加完整的團隊，否則難度太大。
「呼~」
許青舟長吐了口氣，把二喵rua醒放到地板上，提筆開始計算。
YO奈米摻雜的模型和計算早就做完，現在需要解決拓撲超導介面工程和YO奈米摻雜協同最佳化NbSn薄膜的問題。
新增BdG方程建模和耦合強度量化，獨立建模拓撲態與超導的耦合，量化介面引數，最後再修正他曾經做的釘扎力模型。將拓撲介面貢獻和YO貢獻( F_{ext{YO}})迭加。
資金有限，必須要大幅降低試錯成本，而最好的辦法，當然是先透過數學進行模擬，確保拓撲超導介面與YO奈米摻雜技術的協同效應最大化。
和先前一樣，透過實驗-疊代，最後確保預測精度，鎖定最佳工藝引數。
寫了半小時，許青舟又掏出手機，給卡森發去需要新增的裝置，讓他早些去申請，找人安裝。
在人工這一塊，國外的效率一向都很感人。
得提前把裝置搞定，這樣才能保證方案出來，能夠立刻動手實驗。
暫時需要一臺配備Bi。Se。Nb源的分子束外延，Riber 32P。再來一臺FEI Helios 600i的聚焦離子束。
把實驗計劃的框架寫出來，他也沒再繼續，時間一到中午，熬夜後勁兒上來了，身體輕飄飄的。
。覺睡室臥回接直，完嗦，菜剩上蓋麵碗煮便隨脆乾，煩麻嫌舟青許
。況的己自報彙瑤宋給，片照張了拍擺意特還，前之睡
)完章本(
