《重生07造手機,雷總你也在啊》第833章 氮化硅和電子陷阱(1)

作者:尹陽君·15天前

有關係!

絕對有關係!

陸遠江也是眉頭緊鎖,在想氮化矽在快閃記憶體上有啥用。

過往的經驗告訴他,陳總絕對不會無的放矢,不會隨便說一種元素的,這個氮化矽絕對有用。

就是一時間想不出來要應用在哪裡,畢竟整個半導體工藝的工序太多了。

陳星在旁邊也沒敢打擾這二位,主要是他在這方面知道的實在不多……

突然,陸遠江轉過頭和林先動對視了一眼,都從對方眼神中看到一種不可思議。

再看陳總現在,一臉的老嬸在定,彷彿早知道自己能猜出來一樣。

哎,陳總不愧是陳總啊。

一個元素就能指明繞過IBM和美光專利的路線。

“電子陷阱!”

“氮化矽能捕獲電子!”

陸遠江和林先動猛地一喊,把陳星嚇了一跳,嗯?

這就有想法了?

“陳總,你的意思是說,IBM用的是導電浮柵來控制電子的移動,這也是他們的核心專利範圍,所以我們利用氮化矽能捕獲電子的特性,人為製造電子陷阱來控制,這樣就完全繞開了他們的專利。”

“只需要在基礎 MOSFET、通用光刻、通用隧穿物理等行業通用基礎專利進行小額授權就夠了!”

“陳總,我服,我老陸服了。”

陸遠江一邊搖著頭,一邊看陳星那一臉淡定的樣子,心裡的佩服簡首到了無可復加的地步。

林先動也是補充道:“常規工藝是電子在導體浮柵自由移動,單元間存在電容耦合干擾,美光擁有耦合抑制、浮柵電荷均衡全套方法專利,如果我們使用氮化矽,電子被絕緣介質離散陷阱鎖住,無導體耦合,串擾天然更低,不需要浮柵專屬補償演算法,就能規避大量工藝方法專利。”

“說不定我們能搞定這套工藝,未來還能卡住他們的脖子。”

“就是這個氮化矽一層結構是不夠的,我們需要構成氧化物 - 氮化矽 - 氧化物這三層結構……”

“還有氮化矽的材料……”

“你們可以去無冬大師那看看。”盧偉兵急忙補充道,不就是半導體材料嘛,紅星有單獨的研發機構。

無冬大師就是專門搞這個的。

“走,老林,事不宜遲咱們先去無冬大師那看看,討論一下氮化矽這種材料。”說著二人就站了起來,就說今天不白來。

還是陳總有先見之明啊,早早的就成立了半導體材料研發部門。

這格局,這眼光,這格調。

一個字——絕!

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