《重生07造手機,雷總你也在啊》第1126章 沒有集成基帶,所以功耗更高(2)

作者:尹陽君·10小時前

“陳總,不好意思,實驗室那邊在跑一組頻率穩定性測試,走不開。”

“沒事,坐。”

陳星指了一下沙發,陸遠江在俞學林旁邊坐下。

“陸教授,俞總剛跟我說了H3的熱閾值除錯還在進行,目前還有問題?”

陸遠江點了下頭,沒有任何遮掩。

“是的,坦白說問題比我預期的要頑固一些。”

“具體說說。”

“陳總,那我首說了,晶片主頻拉到2.6GHz以後,功耗和發熱確實到了一個比較極限的位置。”

“晶片主頻越高,需要的核心電壓越高。CPU的功耗和電壓的平方成正比,同時和頻率成正比。”

“HPM工藝本身的特點就是靜態漏電流比LP工藝更大,主頻越往上拉,越逼近工藝極限頻率,電晶體的漏電就越厲害。”

“通俗點說,就是晶片在什麼都不幹的時候,也在發熱。”

陳星點頭,這些基礎原理他也清楚。

俞學林插了一句,“空閒都在發熱?那幹活的時候豈不是……”

“所以問題就在這裡。”陸遠江把筆放下,“對比膏通驍龍800的2.3GHz到我們的2.6GHz,頻率提升了大約13%,但核心電壓也相應提升了,綜合下來功耗上漲了20%到30%之間。”

“這就是發熱的根源之一。”

陳星沒說話,等他繼續往下講。

陸遠江搓了搓手,“我們團隊做了一組和驍龍800的詳細對比資料,陳總你看一下。”

“驍龍800這顆SoC,短時峰值功耗大約在4.2到4.5瓦之間,可持續穩定釋放在2.8到3.2瓦。”

“我們凌霄H3呢,可持續穩定釋放是3.3到3.5瓦。這個差距不大,在可接受範圍內。”

陳星和俞學林對視了一眼,峰值功耗壓得比驍龍低,說明晶片本身的能效比不錯,起碼比膏通的驍龍800要強。

“日常輕負載的時候,比如刷圍脖、看新聞這種場景,整機SoC平均功耗在0.8到1.2瓦。idle空閒的漏電比驍龍800略高一點,這是2.6GHz高頻版本電晶體漏電的代價,沒法完全消除,只能透過排程策略去緩解。”

說到這裡,陸遠江停頓了一下。

“但是!”

“資料上網場景下,問題就出來了。”

“驍龍800在資料上網時,SoC加基帶的總功耗大約在3.4到3.8瓦。”

“我們凌霄H3呢,同樣的場景,總功耗要到4.0到4.4瓦。”

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