《重生07:從山寨機開始制霸全球》第914章 君子藏器於身,待時而動(2)

作者:尹陽君·8小時前

陳星挑了下眉毛,“終於坐不住了。”然後笑了起來,這個李志運,估計是在盧偉兵那邊吃完閉門羹急的不行了,這才來找自己。

等的就是這個。

之前讓新聞聯播幫忙站臺,把紅星的身份從主導者變裝成採購商,就是為了今天。

要讓三星覺得,他們的對手是華芯,而不是紅星。

要讓李志運覺得,紅星只是一個可以被爭取的客戶。

只有這樣才能在接下來的談判中,佔據絕對的主動。

“告訴他,我明天上午十點有空。”陳星對沈穎說。

“另外,你去準備一下,把蔡總和趙部長給我們準備的那份檔案準備好,明天的時候要給李志運看一下。”

陳星口中的檔案,是在決定這個方式後就準備好的,檔案正式名稱叫做《關於督促紅星科技加大國產儲存晶片採購、支援華芯國際產業化落地工作函》。

內容也很簡單,就是要把這個採購從一個商業,變成一個zz任務。

這也能徹底的把紅星摘出去。

“好的。”

沈穎轉身離開辦公室。

陳星一個人坐回椅子上,拿起那份簡報重新看了一遍。

上面除了中東的銷售資料,還有一條資訊引起了他的注意——華芯國際那邊的產能爬坡報告。

目前45nm 2D NAND的月產能己經達到了1萬片晶圓,良率穩定在85%左右。

87%的良率,對於一個剛量產的新工藝來說,己經是非常好的數字了。

當然,跟三星比還是有很大很大差距。

但陳星不著急。

快閃記憶體這個東西,製程領先固然重要,但更重要的是產能和成本。

而產能和成本,說白了就是錢的問題。

只要持續投入,持續擴產,持續最佳化工藝,三五年之內,國產快閃記憶體就能在中低端市場站穩腳跟。

至於高階市場?

那是3D NAND的戰場。

3D NAND,陳星己經讓半導體團隊那邊開始預研了,從2D到3D的跨越,比從無到有容易,因為核心的刻蝕、薄膜沉積技術是相通的。

三星在2013年才量產第一代3D NAND,24層的V-NAND。

華夏這邊如果加速推進,自己再發動一下一年能動一次的發燒詞條,2015年左右做出來第一代3D產品並不是不可能。

到了那個時候,才是真正和三星正面交鋒的開始。

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