積體電路（Integrated Circuit，簡稱IC）的發展歷史可以追溯到20世紀中葉。以下是其發展的主要歷程和趨勢：
早期發展階段1.1947年貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓發明了電晶體，這是微電子技術發展中的第一個里程碑。
1950年結型電晶體誕生。
1951年場效應電晶體發明。
1956年C.S. Fuller發明了擴散工藝。
1958年仙童公司的羅伯特·諾伊斯和德州儀器的傑克·基爾比分別發明了積體電路，開創了世界微電子學的歷史。
技術進步1960年H.H. Loor和E. Castellani發明了光刻工藝。
1962年美國RCA公司研製出S場效應電晶體。
1963年F. Wanlass和C.T. Sah首次提出CS技術，今天95%以上的積體電路晶片都是基於CS工藝。
1964年英特爾的摩爾提出摩爾定律，預測電晶體整合度將會每18個月增加一倍。
1966年美國RCA公司研製出CS積體電路，並研製出第一塊門陣列（50門）。
1967年應用材料公司（Applied terials）成立，現已成為全球最大的半導體裝置製造公司。
大規模積體電路時代1971年英特爾推出1kb動態隨機儲存器（DRA，標誌著大規模積體電路出現。
1971年全球第一個微處理器4004由英特爾公司推出，採用的是S工藝，這是一個里程碑式的發明。
1974年RCA公司推出第一個CS微處理器1802。
1976年16kb DRA4kb SRA世。
1978年64kb動態隨機儲存器誕生，不足0.5平方釐米的矽片上集成了14萬個電晶體，標誌著超大規模積體電路（VLSI）時代的來臨。
個人電腦時代1.1979年英特爾推出5z 8088微處理器，之後，IB於8088推出全球第一臺PC。
1981年256kb DRA64kb CS SRA世。
1984年日本宣佈推出1 DRA256kb SRA
1985年微處理器問世，20z。
1988年16DRA世，1平方釐米大小的矽片上整合有3500萬個電晶體，標誌著進入超大規模積體電路（VLSI）階段。
現代發展1989年1 DRA入市場。
1989年486微處理器推出，25z，1μ藝，後來50z晶片採用0.8μ藝。
1992年64隨機儲存器問世。
1993年66z奔騰處理器推出，採用0.6μ藝。
1995年PentiuPro，133z，採用0.6-0.35μ藝。
1997年300z奔騰Ⅱ問世，採用0.25μ藝。
。藝μ81.0用採後，藝μ52.0用採，z054，世問Ⅲ騰奔年9991
。場市放AR bG1年0002
。藝μ81.0用採，zHG5.1，世問4騰奔年0002
