這一眼掃過來，幾個人心頭一震，感覺心思都被看穿了。
“要是說場面話，就是隻要努力就一定行，咱們有能力打破國外的技術壟斷。”
於驚鴻也乾脆攤牌，不說客套話了。
他知道湯城對半導體行業瞭解很深，忽悠不過去。
“可實話是，如果不出現基礎理論上的重大突破，從商業角度來講，我們幾乎沒有超越阿麥斯的可能性，也沒法動搖外國企業的主導地位。”
話音落下，幾個人明顯輕鬆了不少。
他們也不想假裝很有信心地哄騙領導，那樣壓力太大了。
明知做不到的事情，還非得表現得信心滿滿，實在太煎熬。
“湯董，我們不是有意隱瞞情況，我想用技術的角度給您做個說明。”這時，研發負責人董明亮有些緊張地開口說道。
三個人中，他的心情是最沉重的，畢竟他是負責研發的。
現在湯城瞭解了真相，會不會立刻砍掉研發專案？
這個可能性真的不小。
“現在的光刻機已經能做到2n度了，阿斯麥那邊這項技術已基本成熟，聽說下個月就要上市。”
“這樣的精密程度，按照目前的物理學原理來看，幾乎是極限了，再往上發展空間已經非常小。繼續縮小尺寸的話，會出現量子隧穿效應。”
“我們現在使用的主要是矽基晶片，一個矽原子大小差不多是0.22奈米，中間留出點空隙頂多也就是0.5奈米，這是物理結構決定了的最小間距。”
“嚴格按摩爾定律來算的話，理論上最小工藝節點應該是在1奈米左右，小於這個數值時，就容易發生電子穿透的問題，造成晶片效能不穩定。”
“我們常說的7n5n2n類技術引數，準確來說，其實是指電晶體導電溝道的長度，簡稱溝道長度。”
“隨著科技發展，晶片整合的電路越來越多，要求製程工藝不斷提升以獲得更高運算效率。”
“溝道越短，運算速度越快，整體效能也就更強。”
“不過當溝道不斷縮小的同時，也會帶來一些問題，比如材料遷移能力下降、漏電增加、功耗提升等一系列困擾。”
“正常情況下，溝道縮短後，內部絕緣層二氧化矽也會變薄。根據現代物理知識，當厚度只到零點幾奈米的時候，就會引發一種‘隧道效應’。”
“在這種情形下，即便加了一層薄如蟬翼的氧化物隔膜，電子還是能夠穿過這層絕緣體，跑到另一邊去。”
“這樣一來，電晶體原有的工作效能就會被打亂，柵極電壓也很難控制電流的流動狀況。”
“綜上所說，依照現行的物理法則推斷，矽材料晶片所能達到的極致製造尺度大約就是1奈米附近，而現在的產品已經做到了2奈米級別，幾乎一步之遙。”
講到這裡，董明亮悄悄看了湯城一眼。
發現對方並沒有露出絲毫厭煩或者煩躁的情緒，他心裡稍鬆了些。
