設計負責人臉上的自豪感褪去，變得凝重起來。
他看向了工藝整合負責人和設計-工藝產品線總裁孟良凡。
馮庭波適時接話：
“塵風總問到了核心。
設計只是藍圖，製造才是將藍圖變為現實的關鍵。
下面，就請工藝團隊和孟總，為我們揭示‘獵人’晶片在14nFinFET平臺上的真實情況。”
工藝整合負責人深吸一口氣，站了起來。
他操作投影，畫面切換到了一張令人眼花繚亂的多維度圖表：14nFinFET工藝平臺良率追蹤圖。
上面佈滿了各種顏色的曲線，代表著不同批次的晶圓、不同的測試結構、在不同的關鍵工藝節點上的良率表現。
“姚總的問題非常直接，我也直接回答。”他的聲音努力保持平靜，但能聽出緊張。
“‘獵人’晶片，是基於我們華興EDA團隊與海思共同開發的新一代PDK進行設計和模擬的。
其模擬模型，大量參考了孟教授團隊帶來的理論模型和中芯國際產線的早期資料。”
他指向圖表的核心區域，一條原本劇烈波動但近期逐漸趨於平穩的曲線：
“這就是‘獵人’晶片核心計算模組的W試產良率趨勢。
經過五輪艱苦的工藝迭代和設計最佳化，其綜合良率，已從最初的令人絕望的31%，提升並穩定在68.5%。
最近三個批次的波動範圍已經控制在±2%以內。”
“68.5%？”姚塵風身體前傾，手指停止了敲擊，語氣中混合著驚訝和欣喜。
“如果我沒記錯，上次季度彙報，這個數字還在45%徘徊。
這個爬坡速度，超出了我們內部的預期。
怎麼做到的？”
“是的，姚總，提升速度確實超預期。”負責人語氣肯定，也有振奮。
“突破主要來自三個方面：
首先是孟總團隊帶來的FinFET三維鰭片形狀和應力工程的精確調控模型，優化了載流子遷移率，顯著降低了漏電流，這是提升良率和能效的基礎。”
“其次，是在後段互連環節，我們和中芯國際的夥伴共同攻關，採用了新的銅互連阻擋層材料和更低介電常數的低k介質，有效降低了RC延遲和整體晶片功耗。”
“而第三點，至關重要，”他提高了音量，目光轉向陳默。
“陳總領導的EDA團隊，提供了更新一代、精度更高的PDK和模擬模型。
特別是其中的化學機械拋光（C）建模和麵向製造的設計（DF規則檢查，讓我們在設計階段就預先規避了超過30%的潛在製造熱點（Hotspot）和天線效應問題。
這大大減少了流片後的反覆次數，縮短了良率爬升週期。
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