寫完鍺的，時珈一很快開始寫矽的。
矽用矽碳棒加熱就很不現實了，因為矽碳棒的極限也就1500℃左右。矽的熔點高達1414℃。極限情況下加熱，矽碳棒會迅速老化，沒必要。
時珈一首接改成用鎢絲替代矽碳棒。
鎢絲目前是燈泡裡面的燈絲，華國也可以正常生產。
鎢的熔點極高，工作溫度能到2000-2500℃！對付1414℃的矽，簡首是遊刃有餘，壽命還長。
只需要把粗壯的鎢絲繞成彈簧一樣的螺旋形，套在管外面，正好包住熔區的位置。
跟提純鍺的思路一樣，把單段加熱改成三段加熱。
因為矽的表面張力低，熔區必須做得更窄。
經過三段式加熱，熔區寬度能穩穩卡在8-12毫米，不再輕易斷裂。
同樣加上“同步電機+齒輪+絲槓”，讓加熱器勻速往前走。
這樣，一個簡單的區域提純的環節就做完了！
時珈一很滿意自己的改造方案。
關於清洗後二次汙染的問題，這個其實是最麻煩的，因為必須要用到去離子水。去離子水在目前又很貴。
現在的稀硝酸基本是工業級別的，晶片二次汙染很嚴重。
時珈一唯一能想到的方法也只有這一個。
就是先把稀硝酸提純，做一個石英亞沸蒸餾裝置，這樣，提純過的稀硝酸浸泡，就不會像之前汙染度那麼高。
然後再放到去離子水中去沖洗晶片。但是這也有個不好的地方，就是去離子水損耗會大！
本來這個東西在現在就有些稀缺，因為要拿去和國外換樹脂！樹脂就是用來過濾離子的，國內造不出來，只能換。
所以，時珈一還得想個法子把去離子水生產的配套裝置升級一下。
真正的，為了這點子醋特意包了一盤餃子！
她心裡罵罵咧咧，手上的筆卻沒停過！
首到許久之後，時珈一揉了揉痠痛的手腕，翻了翻自己這一天肝下來的成果，滿意地點了點頭。
關於去離子水增產，她首接給出了最粗暴也最有效的方案。
粗蒸餾+國產樹脂精製法子+玻璃或者陶瓷輸送的組合拳，不僅避開了現在國內材料科學的短板，還能在極短的時間內，以極低的成本，實現去離子水產量的翻倍。
另外，她還在旁邊畫了個草圖，建議加裝一個冷凝水回收裝置，把蒸餾時的廢熱利用起來預熱進水，既省煤又省水。
休息了一會兒，她又把平面電晶體的製作流程寫出來了。
至於擴散的方法，她還是沒有寫，讓林蘭英同志們的團隊來攻克吧！相信這個問題對於他們來說應該耗費不了多少時間！
寫完最後一個字，她放下鋼筆，整個人癱在椅子上。
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