“第一，奈米片電晶體（GAAFET） 的刻蝕控制。
我們對奈米片疊層的精度、柵極環繞的控制，極其不穩定，這是良率波動的主要來源之一。”
“第二，高介電常數金屬柵極（HKMG） 的堆疊精度和均勻性。
新材料的熱預算和介面態極其敏感，均勻性偏差導致閾值電壓（Vt）漂移嚴重。”
“第三，也是最致命的，”他的語氣幾乎帶著一絲絕望。
“極紫外（EUV）光刻技術的應用除錯。
EUV光源的功率、穩定性，以及配套的光刻膠、掩膜版技術，全部受到最嚴格的限制，獲取極其困難，除錯進度幾乎停滯。
沒有穩定可靠的EUV光刻，很多關鍵的精細結構無法實現，良率和效能都無從談起。”
他指著圖表上那個刺眼的數字：
“目前MPW試產的綜合良率......仍然在25%-30% 的區間劇烈波動，最低甚至探至18%。
而且，波動沒有收斂的趨勢。
姚總，這個良率，對於單顆成本就高達數十美元的高階旗艦晶片來說，是商業上無法接受的。”
會議室的溫度彷彿瞬間降到了冰點。
25%-30%且不穩定的良率，意味著超過三分之二的晶片是廢品，這不僅是成本的災難，更是量產交付的噩夢。
孟良凡的面色也無比凝重。
他雙手交叉支在桌上，身體前傾，沉聲道：
“N+1的困境，是基礎物理學、材料科學和精密工程極限的綜合體現。
這堵牆，靠工藝團隊硬撞，代價太大，進度也無法保證。”
他再次將目光投向陳默，這次帶著更深的期待和懇求。
“陳總，我們懇請開闢第二戰場。
設計端和工具鏈必須承擔更多責任。
現有的EDA工具，在應對N+1這樣逼近物理極限的工藝時，己經顯得力不從心，更別說再往後的N+2工藝了。
我們迫切需要工具鏈的再次革命。”
他語速加快，列舉出痛點：
“我們需要能進行原子級器件建模的工具，能精確模擬摻雜原子分佈對效能的影響；
我們需要多物理場模擬平臺，能耦合計算熱、電、應力之間的相互效應；
我們需要更強大的計算光刻（OPC） 軟體，以補償EUV光刻帶來的複雜光學鄰近效應；
我們還需要基於大資料的良率預測與最佳化系統，能在設計階段就預測出晶片的薄弱環節。
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