這說明問題不在工藝手法上，方培生已經把能調的引數都調過了，還是不行，那就不是操作的問題。
他合上記錄本，站起來，看了方培生一眼。
方培生靠在操作檯邊上，雙手插在工裝口袋裡，眼睛盯著那三排廢片，嘴唇抿的緊緊的。
陳序年頭一回在方培生臉上看到這種表情，焦躁，和找不到方向的急。
“先停一停。”陳序年說。
方培生抬頭看他。
“我晚上想，明天給你方案。”
方培生沒有問他憑什麼能想出來，只是點了下頭，說了句好，轉身把三批廢片歸檔。
陳序年出了實驗室，走回宿舍的路上，腦子裡已經在轉了。
三批都是針孔，工藝引數不同但結果相同，說明真正的變數不在那幾個引數裡，那變數在哪？
他把氧化工序的流程在腦子裡走了一遍：矽片放入石英管爐，通入氧氣，高溫下矽和氧反應，表面生成二氧化矽薄膜，整個過程裡，除了溫度和時間，唯一的外部輸入就是氧氣本身。
氧氣本身。
他心裡有了方向。
當晚，他把門插好，窗簾拉嚴，從床板暗格裡摸出筆記型電腦，開機，登入，打字：
“矽片熱氧化過程中，氧化層出現大量針孔缺陷，可能原因是什麼？如何解決？”
崑崙的回覆很快。
陳序年盯著螢幕，一行一行的往下看。
答案印證了他的判斷：氧化用氧氣中的微量水蒸氣是針孔的主要原因，水分子在高溫下會在矽表面形成羥基，破壞氧化層的緻密性，導致區域性生長不均勻，產生針孔。
解決辦法是，在氧氣進入爐管之前，用五氧化二磷做深度乾燥，將水汽含量降到百萬分之一以下。
他把關鍵資料抄進手抄筆記本，關機，收好。
躺在床上，他想了一下怎麼把這個資訊交出去，不能直接說是我查到的，那說不通。
最自然的方式是把方向給出來，讓何建軍去配乾燥裝置，配氣體乾燥劑正好是化工那邊的活。
……
第二天一早，他去找何建軍。
何建軍正在實驗室裡做三氯氫矽的常規監測，見陳序年進來，放下手裡的試管，擦了擦手。
“找我？”
“建軍，幫個忙。”
“什麼事，你說。”
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