《開局摩配廠,結局南天門計劃!》第169章 搶佔EUV光刻機配套專利!(2)

作者:幼貓9527·13天前

但是韓文韜記得……前世盤點阿斯麥的時候,EUV光刻機是2002年,也就是今年才取得突破。

製作出第一臺工程樣機。

這一臺樣機,只是用來驗證技術的,根本沒辦法使用。

真正第一臺EUV光刻機發布,是2001年!

真正交付第一臺EUV光刻機是2013年。

真正使用上EUV光刻機的,是臺電的16奈米Fi工藝。

大規模使用EUV光刻機是2017年的7nm工藝,以及後續的5nm工藝!

“要不彎道超車?從KrF光刻機跳到EUV光刻機?”

“資金不是問題,技術有些問題……但投入海量資金情況下,加上時間是能解決的……最重要的是專利!!!”

“還有多重曝光技術的專利!”

“這時候還沒人去研究EUV的光刻膠吧?專利都可以先佔著!”

對於別人來說,從從KrF光刻機,跳到EUV光刻機?

KrF光刻機還在0.8um,中間隔了0.5um、0.35um、0.25um、0.18um、0.13um……甚至今年90nm!

僅僅是光源系統:從0.8微米時代主要用g-line(436奈米波長) 汞燈;到而0.13微米必須使用KrF(248奈米波長) 準分子雷射器。

真正奈米級支撐,還得ArF(193奈米)!

這其中不僅僅是光源的變化,還有整套物鏡系統的變化。

然後面臨經費問題……首接從KrF光刻機,跳到EUV光刻機,需要多少年?

阿斯麥第一臺驗證機到交付,近20年的時間!

沒有任何一家公司,十幾二十年不要營收和利潤,投入千億美刀的海量資金,去研究一個專案!

但是對於韓文韜來說,其實還好!

資金問題,最不用擔心。

EUV的核心部件:光學系統、物鏡系統、工作臺。

光源方面,目前主流是248nm的KrF氟化氪,以及193nm的ArF氟化氬準分子雷射器。

光學系統是由20-30枚超大尺寸鏡片組成,需要以原子級精度(亞奈米級)對準,且鏡片內部應力必須完全消除。

韓文韜可以使用【原子重組】的能力,製造出無缺陷的單晶氟化鈣。

這是深紫外雷射的核心晶體,其內部晶格完美,能讓雷射的透過率和穩定性達到極限。

對於光學鏡片,他能消除石英玻璃內部的微氣泡和應力,透過在原子精度排布矽和氧原子,製造出非球面鏡片,提前解決球面像差問題。

至於工作臺,他可以用極限工藝,打造出剛性達到理論極限的工件臺,讓晶圓在奈米級運動中穩如泰山。

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