甘良才沒有多問。
跟著陳星幹久了他也摸出了一條規律，有些決定不需要理解原因，只需要執行到位。陳總說這個人必須拿下，那就全力以赴去拿。
還是那句話。
凡是陳總做出的決策，我們都堅決維護。
凡是陳總的指示，我們都始終不渝的遵循。
接下來兩個人聊了一些關於春招和秋招的安排。
紅星AI團隊，GPU團隊都是剛起步，基礎研發人員缺口很大，何凱明一個人撐不起整個視覺方向。
需要從各大高校批次招收應屆博士和碩士，搭建底層的研發梯隊。
與此同時，紅星半導體化學實驗中心。
夏春秋站在自己的工位前，兩隻手撐在操作檯邊沿，盯著螢幕上的三維模型。
懂行的朋友看到圖片應該就知道到能在矽片上這個孔有多重要了，
這是一個矽片的橫截面，放大到微米級別，中間是一個垂首貫穿的圓柱形通孔。
孔壁極其光滑，側壁角度看起來接近90度，沒有任何肉眼可辨的錐度偏差。
底部乾淨利落，沒有殘留沉積物。
“六氟化硫進入腔室後，可以電離出一個氟自由基，這些氟自由基就會和裸露出來的矽反應，產生氣態西氟化矽。”
“也就是說，矽會被腐蝕掉，然後繼續通入八氟環丁烷，八氟環丁烷被電離後又會形成含氟碳自由基，那麼這個腔室就會形成一個保護層，通入六氟化硫後，矽就不會被腐蝕了。”
實話實說，為了寫這本書，我真的認真學習了很多東西，這個公式以及無冬大師的這個工藝，對後續發展非常重要
“在這個時候我再加入一個電場，會讓部分離子高速垂首俯衝，轟擊保護膜的底部，這樣只有底部的保護膜被打穿 ，側邊的還會被保留。”
“然後繼續重複下去，從理論上來說，用這種化學方式能在矽片上蝕刻出一個貫穿矽片的空洞。”
夏春秋一邊自言自語，一邊在電腦上操作，螢幕上一組化學工藝引數的理論模擬曲線開始變化，沉積速率、刻蝕選擇比、側壁粗糙度、深寬比，西條曲線在某一個引數區間內同時收斂到了目標範圍。
全部收斂。
沒有一條跑偏。
盯著那個收斂點看了足足兩分鐘，然後站起來，在實驗室裡走了兩個來回，又坐下來重新看了一遍資料。
“不對，再來一次。”
重新跑了一遍模擬後，還是收斂。
再調，換一組邊界條件。
還是收斂。
夏春秋的手抖厲害了，把椅子往後一推
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