他們現在，並不比國際差什麼，她記得資料顯示，也就是幾年後的71年，他們就用了被視為後世光刻機雛形的機器。
那個時候，國內最強大的光刻機制造商可以生產90n片，已經可以滿足國內基本的國防和工業需求。
78年，他們有了進一步的技術提升，曾經遠赴海外展出。
第一臺高階光刻機在國際工業展覽會上閃亮登場，就引起了國際科學界的高度關注和極大興趣。這是因為，高階光刻機的研發、製造難度實在太大，擁有這種技術和能力的國家寥寥無幾。
國內在幾乎與世隔絕的環境中居然獨立自主地研發出世界一流的光刻機，令人難以置信。
他們從沒有被落下太多！那臺自動光刻機裡，有很多獨到的新發明、新技術，擁有完全的智慧財產權，足以笑傲群雄！
本來，以目前科技的體量，從零開始去手搓一部光刻機，還是個很大的挑戰。有幸，能夠站在先輩的努力基礎上，在現有基礎上進行精進，必然是比從零開始要便利太多。
原版的極紫外線光刻機，所需要的花費實在過於巨大，她看過記載，西方國家為其提供技術支援。為了“行業之冠的名字”。相關資料顯示，2019年，AS花費了4.8億歐元4.8億歐元。2012年開發EUV光刻機時，阿斯麥因為成本太高差點放棄。
所以，第一步，姜競株的步伐並沒有邁的太大，她給自己定下的目標，是先拿下28n光刻技術進度，這個尺寸，已經可以滿足目前雷達、制導等多方面的基本需求。
畢竟，技術要一步步有脈絡能夠循序漸進，要有足夠可推廣性。
太過的拔高，無異於空中樓閣，鏡花水月，只是一時繁華。這不是姜競株的希望，她所有的努力，都是發源於他們要的，是可以掌握的盛世安穩，是可以漸進的堅實基礎。
晶片危機，日後不會再是國內的焦灼困擾。他們可以，隨芯而行！
阿斯麥的成功，並不是本身有多高深，而是源於海對面對其的大力支援，很多零件都是各國的高階產品，例如光源裝置和雷射器海對面的軸承和精密CNC機器，漢斯國的機械技術和蔡司鏡片等最先進的裝置。
揚長避短，以國內目前的工業水平和發展道路來說，全力支援搞光刻機有些困難，更別談晶片附帶的各種上下游技術生存。
高純度的矽晶圓，姜競株在給眾人普及材料合成的時候，已經做了製備，目前他們已經擁有了晶片最基礎加工材料。
總不能什麼都讓競株同志從零開始，作為先輩，林雙芝覺得，她得先給競株同志做點兒基礎性工作。所以，就著眼前他們努力數年，才達成的技術成果，國內第一部接觸式光刻機，她很有些感慨的開口。
“光刻機算是我的老本行，我拋磚引玉，先給大家淺談一下光刻工藝的原理，光刻機刻制的電路是透過在導電材料上施加光刻膠，然後利用紫外線曝光和蝕刻的方式來形成導線和電子器件的圖案。
大家可以想象一下膠片照片的沖洗，掩膜版就相當於膠片，而光刻機就是沖洗臺，它把掩膜版上的晶片電路一個個的複製到光刻膠薄膜上，然後透過刻蝕技術把電路“畫”在晶圓上。
這些導電材料可以是金屬或者半導體材料，它們在電路中起到導電的作用。所以，光刻機刻制的電路是能夠導電的，這樣能夠大幅度減少各種複雜線路糾纏，
製作積體電路晶片，我們首先要有能把電路圖的片狀材料，現在國際主流，是以高純度矽晶圓片作為晶片加工材料。
有了材料，我們就像木匠，需要找到稱手的工具來雕刻圖案，要製成內部結構複雜且極其微小的晶片，對加工工具的尺寸要求極高。光刻機就是用光作為這把刻刀，利用短波長的光來實現極其精細的加工。
我們希望透過光學曝光將圖紙上設計好的電路圖案轉移到矽晶圓上，但是光不能對矽材料產生影響，所以需要藉助一箇中間材料，也就是能直接和光相互作用的光刻膠。
要讓光實現圖案的資訊的傳遞，可以利用將光完全擋住或完全透過的方式產生明暗圖案。光透過帶有電路圖案的擋光掩模版，可以複製掩模版的圖案資訊，最後和矽晶圓表面上均勻覆蓋的光刻膠相互作用後，矽晶圓上出現了我們需要的圖案資訊。
光刻膠是光刻成像的主要承載介質，分為正膠和負膠，曝光區域更容易在顯影液中溶解的為正性光刻膠，曝光區域更不易在顯影液中溶解的是負性光刻膠。
假設使用的是正性光刻膠，當曝光過程結束後，顯影液能夠溶解暴露在光下的光刻膠。接著再用化學物質溶解裸露的矽晶圓，遺留在矽晶圓表面的光刻膠能起到保護矽晶圓的作用，這就是刻蝕過程。”
金屬薄膜沉積在矽襯底上預先刻蝕出的溝槽中，從而代替了電路連線，而每一個節點則是矽基底上透過離子注入製作的電晶體。這是一個複雜的難以想象的系統工程，蝕刻，光刻裝置的一點點的技術壁壘，他們在一直努力進行攻克與突破。
作為國內光刻機研發團隊的領軍人物和設計者之一，林雙芝對這臺光刻機的設計、製造中的每一個環節和每一個部件都瞭然於胸。
這是國際高精端技術，她歸國以來，從最基礎的理論開始，到一步步想辦法實現技術，最終在多重努力以及大家的配合下，讓國內有了光刻機技術，從而成為世界上少數擁有光刻機制造技術的國家。
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