【親愛的理查德】
【你的信收到了。你在信中關於矽提純和感測器材料的回覆，我仔細讀了好幾遍。區域提純的原理我大概能理解，但具體操作引數還需要摸索。如果你方便的話，能不能再多說兩句關於加熱環移動速度的內容？我們這邊的爐子溫控精度有限，我擔心移動速度太快雜質趕不乾淨，太慢又效率太低。我知道有些東西你不能寫，但如果你能給個大概的範圍，我會非常感激。】
【另外，我在鮑曼這邊也在嘗試做一些半導體相關的小實驗，比如用單晶鍺製作二極體。目前己經成功做出來了第一顆樣品，電效能測試結果還算滿意。這是一個很小的起步，但對我來說意義重大。畢竟，親手做出一顆器件，和只在書本上讀到它，是完全不同的體驗。】
【如果有一天我能做出矽二極體，那我一定會第一時間告訴你。】
【對了，關於我之前在信裡提到的那個多次氧化、多次腐蝕的想法，你後來有沒有去試過？或者你們實驗室的其他人有沒有去試過？我純粹是好奇。那個想法是我在做一個感測器封裝專案的時候瞎想的，沒有經過嚴格的實驗驗證。如果己經有人試過了發現走不通，那我也就不用在這上面浪費時間了。】
她寫到這一段的時候筆尖頓了一下，嘴角微微翹起來。
多次氧化、多次腐蝕這個方向在後世被證明是一條死路。
層數越多，對準誤差越大，良率越低，成本越高。
給點反饋好不好！如果效果不錯！那證明她的騷操作沒問題！以後可以讓美帝在這條路上越跑越遠！
畢竟貝爾實驗室真的在這上面投入了資源，那她的目的就達到了，浪費他們的時間和經費。
如果他們沒有，那她也不虧，至少知道這個方向有沒有被重視。
她剛剛己經過了一遍積體電路的工藝流程，把每一個環節的知識缺口列了出來。
但除了這些硬體問題，還有什麼是她不知道的？
她在筆記本上又加了幾行，材料的摻雜均勻性怎麼控制？PN接面的擊穿電壓怎麼調節？不同金屬和半導體的接觸電阻怎麼最佳化？這些問題隨便拎一個出來都能寫一篇博士論文。
她繼續往下寫，先給人家一點點甜頭吧。
【你上次信裡提到的那個新的控制策略，你說你很感興趣。我理解你的好奇，因為我也一樣。關於你問的，是線性還是非線性？是基於模型還是無模型？我只能告訴你，我們嘗試的這個方向，既不完全是線性的，也不完全是基於模型的。它更像是一種……折中的思路。】
【具體的細節等論文發表後你自然能看到。但我可以給你一個小小的提示，你可以想想，如果系統的模型不那麼準確，或者系統的引數在執行過程中發生變化，傳統的控制器可能會失效。那有沒有一種控制器，可以在系統執行的過程中自己調整自己？】
自適應的概念在後世是控制理論的基礎課內容，但在1956年它還是一種很前沿的思想。
她給理查德的資訊足夠讓他產生興趣，但又不至於讓他覺得她在洩密。
緊接著她又在信紙上加了幾行。
【對了，我還想請教幾個更具體的問題。如果你方便回答的話。】
【第一，你們在製作矽電晶體的時候，PN接面的結深控制在多少微米？這個引數對電晶體的頻率特性影響很大，我一首在找相關的公開文獻，但沒有找到很詳細的資料。】
【第二，金屬電極和半導體之間的歐姆接觸，你們用的是哪種金屬？我這邊用的是金，但接觸電阻有時候不太穩定。我懷疑是表面處理的問題，但又不太確定。】
【第三，二氧化矽層和矽襯底之間的介面態密度，你們有沒有什麼辦法可以降低？我在文獻裡看到這個引數會影響MOS結構的效能，但沒有找到具體的資料。】
這三個問題每一個都很專業，又不是機密到不能回答。
結深、歐姆接觸、介面態密度，這些都是衡量一個實驗室工藝水平的關鍵指標。
