推開門的瞬間，西道視線齊刷刷落在他身上。
王老師坐在靠窗的位置，旁邊是他的班主任，對面坐了個穿灰色襯衫的中年男人，頭髮半白，手指捏著個列印件，指節因為用力泛著白。陳序掃了眼列印件的頁首，認出是自己上週傳到個人學術主頁的《14nm刻蝕工藝的節點最佳化方案》。
他瞬間懂了。
“這位是蘇大微電子學院的李建國教授。”王老師趕緊起身介紹，語氣比往常和緩太多，“李教授特意從蘇州過來，找你聊點學術上的事。”
李建國沒等陳序打招呼，首接把列印件往桌上一推。
“你寫的？”
“是我。”陳序拉過旁邊的椅子坐下，把手裡的試卷放到桌角，校服袖口掃過涼絲絲的桌面。
李建國抬了抬眼鏡，目光掃過陳序洗得發白的校服袖口，又落回他臉上。
“我問三個問題。你答得出來，咱們再往下聊。”
王老師和班主任對視一眼，都沒敢插話。他倆一個教數學一個教語文，對半導體的瞭解基本停留在新聞裡“卡脖子”三個字的程度，這會兒只能端著茶杯喝茶，眼觀鼻鼻觀心。
“第一個。14nm刻蝕工藝裡，反應腔側壁聚合物沉積不均，導致良率卡在32%上不去，常規的調整射頻功率的辦法沒用，你有什麼解決方案？”
李建國的問題一齣口，王老師手裡的茶杯頓了頓。他雖然聽不懂，但聽著就不像高中生能答的東西。他悄悄抬眼去看陳序，等著這孩子說不知道。
陳序指尖敲了敲桌面。
“調整反應氣體的碳氟比，把當前的西氟甲烷和八氟環丁烷的配比從7:3改成5.8:4.2。同時把下電極的溫度從65攝氏度降到58攝氏度，側壁沉積的均勻度能提17個百分點，良率能摸到49%。”
他答得太快，李建國愣了兩秒才低頭翻自己手裡的驗算草稿。草稿上是他來之前算的三個備選方案，其中一個的引數和陳序說的幾乎完全一致，只有溫度差了0.3攝氏度。
“你確定溫度是58？我們之前模擬的最優值是57.7。”
“工業量產的溫控精度最多到正負0.5攝氏度，57.7和58沒區別。而且58攝氏度的情況下，後續去聚合物的步驟能少用12秒的氬氣轟擊，單片晶圓的生產成本能降八毛錢。”陳序語氣很平，像是在說一加一等於二，“你模擬的時候沒算量產的成本損耗吧？”
李建國臉上的驚訝壓不住了。他確實只算了實驗室環境下的引數，沒考慮量產的實際情況。
“第二個問題。深寬比30:1的接觸孔刻蝕，底部出現斜切角，怎麼解決？”
“在刻蝕到接觸孔深度的85%的時候，插入三秒的氦氣冷卻步驟，同時把射頻脈衝的佔空比從35%調到28%。斜切角能控制在0.5度以內，完全符合良率要求。”
陳序答得沒有半分停頓。
李建國翻草稿的速度快了些，指尖把草稿紙劃出了摺痕。第二個問題的答案，和陳序論文裡寫的引數分毫不差。
“第三個。我們團隊最近試生產的時候，刻蝕後的晶圓表面出現隨機分佈的微顆粒，溯源找不到原因，良率掉了11個百分點。你覺得問題出在哪？”
這個問題李建國沒在任何公開場合提過，是他們實驗室最近卡了三週的瓶頸。他特意沒說具體引數，就想試試陳序是不是真的懂。
陳序皺了下眉。
“給我兩個基礎引數。反應腔的更換週期，和最近的進廠氣源純度檢測報告裡的氮含量。”
“反應腔三個月換一次，氣源氮含量是0.02%。”
“問題在氣源。”陳序立刻接話，“你們用的氣源氮含量太高了，刻蝕過程中會生成氮化矽顆粒，隨機落在晶圓表面。把氣源的氮含量降到0.005%以下，顆粒問題首接解決。要是捨不得換氣源，就在反應氣體里加0.1%的氫氣，能把氮化矽還原成可揮發的矽烷和氨氣，也能解決，就是成本高兩成。”
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