《黑科技從刷題開始》第40章 藍圖優化(1)

作者:夢凝寒·3個月前

陳序掏出鑰匙擰開出租屋的門。

悶熱的空氣裹著樓道里的消毒水味撲過來。

他反手帶上門,把書包甩到書桌上,拉過椅子坐下。

窗外的天己經擦黑。

樓下賣手抓餅的攤子還亮著暖黃的燈,滋啦的煎油聲飄上來,混著遠處廣場舞的音樂。

他沒開燈,就著窗外的光摸出水杯灌了一大口涼白開。

今天在圖書館坐了八個小時,肩膀酸得厲害。

他抬手按了按後頸,骨節發出咔噠一聲輕響。

意識裡的系統面板自動浮出來。

淡藍色的光幕上,學識點那一欄跳著醒目的數字,一萬兩千三百六十二。

剛好夠。

他搓了搓手,指尖有點發燙。

這段時間泡實驗室,跟著專案組跑實驗,他太清楚現在這套14nm刻蝕工藝的痛點在哪。

良率卡在62%上不去。

每低一個百分點,流片成本就往上漲一截。

專案組卡了快半個月,試了幾十種調整方案,最多也只把良率往上拉了兩個百分點,還不穩定。

他之前上傳的那篇論文裡提過改進方向,但受限於當時的知識儲備,很多引數只能給個大概範圍。

現在不一樣了。

八本專業習題集刷下來,微電子知識體系補全到85%,之前摸不準的地方現在全通了。

他在意識裡點選藍圖推演最佳化功能。

系統彈出提示框,確認是否消耗一萬點學識點,對當前繫結的14nm刻蝕工藝藍圖進行適配性最佳化。

他選了確認。

光幕上跳出進度條,百分之一,百分之三,百分之十。

速度比他預想的快。

他靠在椅背上,盯著進度條慢慢走。

腦子裡忍不住過專案組最近的實驗資料。

等離子體密度的閾值,刻蝕氣體的配比,側壁鈍化的時間視窗。

每一個引數他都熟得能背下來。

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